AMORPHOUS SILICON

La capa semiconductora más común está hecho de silicio amorfo (a-SI). un-Si transistor de película delgada-pantalla de cristal líquido (TFT-Televisor) ha sido la tecnología dominante para la fabricación de matriz activa TFT-Televisor por más de 20 años. un-Si es un material de bajo coste en abundante suministro.

a-Si es un material de bajo coste en abundante suministro. Sin embargo, la movilidad de los electrones de un-Si es muy bajo (alrededor de 1cm2/VS) yno puede soportar físicamente altas tasas de refresco de 240Hz como lanecesaria para la televisión de alta definición. Debido a su alta movilidad de electrones, losnuevos materiales tales como óxido de metal (MO) y de polisilicio de baja temperatura (LTPS) están ahora la sustitución de un-Si para la fabricación de dos tipos principales de la industria de pantallas: pantalla LCD y luz orgánicos-emitting diodo displays (OLED) .

La capa semiconductora más común está hecha de silicio amorfo (A-SI). un-Si transistor de película delgada-pantalla de cristal líquido (TFT-Televisor) ha sido la tecnología dominante para la fabricación de matriz activa TFT-Televisor por más de 20 años.

our adopta producción avanzada y la tecnología de alimentación para producir silicio amorfo de interior y al aire libre de silicio amorfo durante mucho tiempo. Los productos se utilizan en muchos campos, tales como relojes, gafas, juguetes, hogar inteligente, y la iluminación al aire libre.